您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

IRF6217TRPBF

International Rectifier FET - 单
  • 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.232-$0.284

更新日期：2025-03-03

IRF6217TRPBF

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-SOIC

  • 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.232-$0.284

IRF6217TRPBF 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

IRF6217TRPBF 中文资料属性参数

  • 标准包装：4,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：700mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.4 欧姆 @ 420mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：9nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：150pF @ 25V
  • 功率 - 最大：2.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SO
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IRF6217TRPBF-NDIRF6217TRPBFTR

IRF6217TRPBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRF6217TRPBF

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-150V; Continuous Drain Current, Id:-700mA; On Resistance, Rds(on):2.4ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes

8页,126K 查看

IRF6217TRPBF 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9