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IRF530NSTRRPBF

International Rectifier FET - 单
  • 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.82054

更新日期：2024-04-01

IRF530NSTRRPBF

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK

  • 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.82054

IRF530NSTRRPBF 供应商

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IRF530NSTRRPBF 中文资料属性参数

  • 标准包装：800
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：17A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：90 毫欧 @ 9A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：37nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：920pF @ 25V
  • 功率 - 最大：3.8W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装：D2PAK
  • 包装：带卷 (TR)

IRF530NSTRRPBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRF530NSTRRPBF

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:17A; Package/Case:D2-PAK; Power Dissipation, Pd:3.8W; Continuous Drain Current - 100 Deg C:12A; Drain Source On Resistance @ 10V:90mohm ;RoHS Compliant: Yes

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