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  • 封装:TO-220-3
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:管件
  • 参考价格:$0.98256-$2.43

更新日期:2024-04-01 00:04:00

产品简介:MOSFET N-CH 20V 67A TO-220AB

  • 封装:TO-220-3
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:管件
  • 参考价格:$0.98256-$2.43

IRF3704ZPBF 供应商

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IRF3704ZPBF 中文资料属性参数

  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HEXFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:67A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:7.9 毫欧 @ 21A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.55V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1220pF @ 10V
  • 功率 - 最大:57W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRF3704ZPBF

IRF3704ZPBF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRF3704ZPBF

MOSFET, N, LOGIC, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:67A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):7.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.1V; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:67A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:57W; Pulse Current Idm:260A; SMD Marking:IRF3704ZPbF; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:2.1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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