- 封装:TO-220-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
- 参考价格:$0.98256-$2.43
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:MOSFET N-CH 20V 67A TO-220AB
- 封装:TO-220-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
- 参考价格:$0.98256-$2.43
IRF3704ZPBF 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
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- 说明
- 询价
-
IR
-
TO-220
- -
5
-
上海市
-
-
-
经营22年实体店原装,具体年份和数量以实际为准
IRF3704ZPBF 中文资料属性参数
- 标准包装:50
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:HEXFET®
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:67A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:7.9 毫欧 @ 21A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):2.55V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:1220pF @ 10V
- 功率 - 最大:57W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
- 其它名称:*IRF3704ZPBF
IRF3704ZPBF 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
IRF3704ZPBF
|
MOSFET, N, LOGIC, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:67A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):7.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.1V; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:67A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:57W; Pulse Current Idm:260A; SMD Marking:IRF3704ZPbF; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:2.1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V |
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