您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

IRF3415L

International Rectifier FET - 单
  • 封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件

更新日期：2024-04-01 00:04:00

暂无图片

IRF3415L

International Rectifier FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 150V 43A TO-262

  • 封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件

IRF3415L 中文资料属性参数

  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：HEXFET®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：43A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：42 毫欧 @ 22A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：200nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2400pF @ 25V
  • 功率 - 最大：3.8W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • 供应商设备封装：TO-262
  • 包装：管件
  • 其它名称：*IRF3415L

IRF3415L 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IRF3415L

Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A)

 10 Pages页,157K 查看

IRF3415L 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9