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IPW65R041CFD

FET - 单
  • 封装：*
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：*
  • 参考价格：$10.2524-$9.97096

更新日期：2024-04-01

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IPW65R041CFD

FET - 单

产品简介：MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247

  • 封装：*
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：*
  • 参考价格：$10.2524-$9.97096

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IPW65R041CFD 中文资料属性参数

  • 数据列表：IPW65R041CFD
  • 标准包装：240
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：CoolMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：68.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：41 毫欧 @ 33.1A, 10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 3.3mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：54nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：8400pF @ 100V
  • 功率 - 最大：500W
  • 安装类型：*
  • 封装/外壳：*
  • 供应商设备封装：*
  • 包装：*
  • 其它名称：IPW65R041CFDFKSA1

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