IPP50CN10N G

FET - 单

更新日期：2024-04-01 00:04:00

FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 100V 20A TO-220

IPP50CN10N G 中文资料属性参数

数据列表：IPx(49,50)CN10N G
标准包装：500
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：OptiMOS™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：20A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：50 毫欧 @ 20A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 20µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：16nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：1090pF @ 50V
功率 - 最大：44W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商设备封装：PG-TO220-3
包装：管件
其它名称：IPP50CN10N G-NDIPP50CN10NGHKSA1IPP50CN10NGINIPP50CN10NGXIPP50CN10NGXKIPP50CN10NGXKSA1SP000096474SP000680930

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9