IPL60R385CP
FET - 单- 封装:4-TSFN 裸露焊盘
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$1.04004-$1.17005
更新日期:2024-04-01

IPL60R385CP
FET - 单产品简介:MOSFET N-CH 600V 9.0A 4VSON
- 封装:4-TSFN 裸露焊盘
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$1.04004-$1.17005
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IPL60R385CP 中文资料属性参数
- 数据列表:IPL60R385CP
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:CoolMOS™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):600V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:9A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:385 毫欧 @ 5.2A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):3.5V @ 340µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:17nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:790pF @ 100V
- 功率 - 最大:83W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:4-TSFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装:PG-VSON-4
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:IPL60R385CP-NDIPL60R385CPAUMA1SP000841898
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