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IPI04N03LA

FET - 单
  • 封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$1.38

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IPI04N03LA

FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 25V 80A TO-262

  • 封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$1.38

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IPI04N03LA 中文资料属性参数

  • 数据列表：IPI04N03LA, IPP04N03LA
  • 标准包装：500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：OptiMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：80A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.2 毫欧 @ 55A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 60µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：32nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：3877pF @ 15V
  • 功率 - 最大：107W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • 供应商设备封装：PG-TO262-3
  • 包装：管件
  • 其它名称：IPI04N03LAINIPI04N03LAXIPI04N03LAX-NDSP000014355

IPI04N03LA 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IPI04N03LA

OptiMOS 2 Power-Transistor

 10 Pages页,349K 查看
IPI04N03LA

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