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IPF13N03LA G

FET - 单
  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

更新日期：2024-04-01 00:04:00

IPF13N03LA G

FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)

IPF13N03LA G 中文资料属性参数

  • 数据列表：IPx13N03LA G
  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：OptiMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：30A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：12.8 毫欧 @ 30A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 20µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：8.3nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1043pF @ 15V
  • 功率 - 最大：46W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：P-TO252-3
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IPF13N03LAIPF13N03LAGINTRIPF13N03LAINTRIPF13N03LAINTR-ND

IPF13N03LA G 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
IPF13N03LA G

MOSFET N-CH 25V 30A DPAK

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