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IPD60R3K3C6

FET - 单
  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.20004-$0.24172

更新日期：2024-04-01

IPD60R3K3C6

FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3

  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.20004-$0.24172

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IPD60R3K3C6 中文资料属性参数

  • 数据列表：IPD60R3K3C6
  • 产品培训模块：CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：CoolMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.3 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3.5V @ 40µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：4.6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：93pF @ 100V
  • 功率 - 最大：18.1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：PG-TO252-3
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IPD60R3K3C6TRSP000799130

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