IPD50R950CE
FET - 单- 封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.4332-$0.5054
更新日期:2024-04-01

IPD50R950CE
FET - 单产品简介:MOSF 500V 4.3A PG-TO252
- 封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.4332-$0.5054
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IPD50R950CE 中文资料属性参数
- 数据列表:500V CoolMOS CE Brief
- 应用说明:500V CoolMOS CE Application Note
- 标准包装:2,500
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:CoolMOS™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):500V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4.3A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:950 毫欧 @ 1.2A,13V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):3.5V @ 100µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:10.5nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:231pF @ 100V
- 功率 - 最大:34W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装:PG-TO252-3
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:IPD50R950CEBTMA1IPD50R950CEIN
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