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IPD320N20N3 G
FET - 单- 封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$1.06068-$1.19326
更新日期：2024-04-01
IPD320N20N3 G
FET - 单产品简介：MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
- 封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$1.06068-$1.19326
IPD320N20N3 G 供应商
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2022+ -
1900
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上海市
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原装现货
IPD320N20N3 G 中文资料属性参数
- 数据列表：IPD320N20N3 G
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：200V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：34A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：32 毫欧 @ 34A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 90µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：29nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：2350pF @ 100V
- 功率 - 最大：136W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商设备封装：PG-TO252-3
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：IPD320N20N3 G-NDIPD320N20N3 GTRSP000677838