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IPB65R110CFD

FET - 单
  • 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$3.70596-$4.16921

更新日期：2024-04-01

IPB65R110CFD

FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263

  • 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$3.70596-$4.16921

IPB65R110CFD 供应商

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IPB65R110CFD 中文资料属性参数

  • 数据列表：IPx65R110CFD
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：CoolMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：31.2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：110 毫欧 @ 12.7A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4.5V @ 1.3mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：118nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：3240pF @ 100V
  • 功率 - 最大：277.8W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装：PG-TO263
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IPB65R110CFD-NDIPB65R110CFDATMA1SP000896400

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