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IPB60R125C6

FET - 单
  • 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$2.50116-$2.91802

更新日期：2024-04-01

IPB60R125C6

FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 600V 30A TO263

  • 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$2.50116-$2.91802

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IPB60R125C6 中文资料属性参数

  • 数据列表：IPx60R125C6
  • 产品培训模块：CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：CoolMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：30A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：125 毫欧 @ 14.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3.5V @ 960µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：96nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2127pF @ 100V
  • 功率 - 最大：219W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装：PG-TO263-2
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IPB60R125C6-NDSP000687456

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