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IPB200N25N3 G

FET - 单
  • 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$4.0626-$4.57043

更新日期：2024-04-01

IPB200N25N3 G

FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

  • 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$4.0626-$4.57043

IPB200N25N3 G 供应商

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IPB200N25N3 G 中文资料属性参数

  • 数据列表：IPx200N25N3 G
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：OptiMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：64A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：20 毫欧 @ 64A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 270µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：86nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：7100pF @ 100V
  • 功率 - 最大：300W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
  • 供应商设备封装：PG-TO263-2
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：IPB200N25N3 G-NDIPB200N25N3 GTRSP000677896

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