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HUFA76619D3S

Fairchild Semiconductor FET - 单
  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件

更新日期：2024-04-01 00:04:00

HUFA76619D3S

Fairchild Semiconductor FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 100V 18A DPAK

  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件

HUFA76619D3S 供应商

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HUFA76619D3S 中文资料属性参数

  • 标准包装：75
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：UltraFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：85 毫欧 @ 18A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：29nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：767pF @ 25V
  • 功率 - 最大：75W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：D-Pak
  • 包装：管件

HUFA76619D3S 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
HUFA76619D3S

18A, 100V, 0.087 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET

 10 Pages页,216K 查看

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