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HUFA75339G3

Fairchild Semiconductor FET - 单
  • 封装：TO-3P-3，SC-65-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件

更新日期：2024-04-01 00:04:00

HUFA75339G3

Fairchild Semiconductor FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 55V 75A TO-247

  • 封装：TO-3P-3，SC-65-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件

HUFA75339G3 中文资料属性参数

  • 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装：150
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：UltraFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：75A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：12 毫欧 @ 75A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：130nC @ 20V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：2000pF @ 25V
  • 功率 - 最大：200W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
  • 供应商设备封装：TO-247AD
  • 包装：管件

HUFA75339G3 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
HUFA75339G3

75A, 55V, 0.012 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

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