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HUF75329D3S

Fairchild Semiconductor FET - 单
  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件

更新日期：2024-04-01

HUF75329D3S

Fairchild Semiconductor FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 55V 20A DPAK

  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件

HUF75329D3S 供应商

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HUF75329D3S 中文资料属性参数

  • 标准包装：1,800
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：UltraFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：20A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：26 毫欧 @ 20A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：65nC @ 20V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1060pF @ 25V
  • 功率 - 最大：128W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：D-Pak
  • 包装：管件

HUF75329D3S 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
HUF75329D3S

20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

 9 Pages页,128K 查看
HUF75329D3S

20A, 55V, 0.026 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

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