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HTNFET-D
FET - 单- 封装：8-CDIP 裸露焊盘
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
- 参考价格：$343.75
更新日期：2024-04-01 00:04:00
HTNFET-D
FET - 单产品简介：MOSFET N-CHANNEL 55V 8-DIP
- 封装：8-CDIP 裸露焊盘
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：散装
- 参考价格：$343.75
HTNFET-D 中文资料属性参数
- 数据列表：HTNFET
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：HTMOS™
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：55V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：-
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：400 毫欧 @ 100mA，5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.4V @ 100µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：4.3nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：290pF @ 28V
- 功率 - 最大：50W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：8-CDIP 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-CDIP-EP
- 包装：散装
- 其它名称：342-1078
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