HCT7000MTX
FET - 单- 封装:3.18mm x 2.67mm x 1.37mm
- RoHS:无铅 / 不适用
- 包装方式:散装
- 参考价格:$28.6301
更新日期:2024-04-01 00:04:00

HCT7000MTX
FET - 单产品简介:MOSFET N-CH 60V 200MA SMD
- 封装:3.18mm x 2.67mm x 1.37mm
- RoHS:无铅 / 不适用
- 包装方式:散装
- 参考价格:$28.6301
HCT7000MTX 中文资料属性参数
- 标准包装:25
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:-
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):60V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:200mA
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5 欧姆 @ 500mA,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:60pF @ 25V
- 功率 - 最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:3.18mm x 2.67mm x 1.37mm
- 供应商设备封装:-
- 包装:散装
HCT7000MTX 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
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N- Channel En hance ment Mode MOS Transistor |
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