您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

FQT5P10TF

Fairchild Semiconductor FET - 单
  • 封装：TO-261-4，TO-261AA
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.14496-$0.18724

更新日期：2024-04-01

FQT5P10TF

Fairchild Semiconductor FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223

  • 封装：TO-261-4，TO-261AA
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.14496-$0.18724

FQT5P10TF 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

FQT5P10TF 中文资料属性参数

  • 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装：4,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：QFET™
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.05 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：8.2nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：250pF @ 25V
  • 功率 - 最大：2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装：SOT-223-3
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：FQT5P10TF-NDFQT5P10TFTR

FQT5P10TF 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
FQT5P10TF

P CHANNEL MOSFET, -100V, 1A SOT-223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):820mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V ;RoHS Compliant: Yes

8页,669K 查看

FQT5P10TF 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9