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  • 封装:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:管件
  • 参考价格:$0.4655

更新日期:2024-04-01

产品简介:MOSFET N-CH 600V SGL IPAK

  • 封装:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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FDU7N60NZTU 中文资料属性参数

  • 标准包装:70
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:UniFET-II™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.25 欧姆 @ 2.75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:17nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:730pF @ 25V
  • 功率 - 最大:90W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装:TO-251
  • 包装:管件

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