- 封装:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
- 参考价格:$0.4655
更新日期:2024-04-01
产品简介:MOSFET N-CH 600V SGL IPAK
- 封装:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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FDU7N60NZTU 中文资料属性参数
- 标准包装:70
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:UniFET-II™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):600V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.5A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.25 欧姆 @ 2.75A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:17nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:730pF @ 25V
- 功率 - 最大:90W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
- 供应商设备封装:TO-251
- 包装:管件
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