- 封装:8-SSOT,SuperSOT-8
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
更新日期:2024-04-01 00:04:00

产品简介:MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8
- 封装:8-SSOT,SuperSOT-8
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
FDR840P 供应商
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Fairchild
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SUPERSOT-8
21+ -
255354
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上海市
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一级代理原装
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FAIRCHILD
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SO8
5 -
928
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杭州
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原装正品现货
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FAIRCHIL
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DIP-28
23+ -
15000
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上海市
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中国区代理原装现货热卖特价
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FAI
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SOP8
23+ -
5800
-
上海市
-
-
-
进口原装现货,杜绝假货。
FDR840P 中文资料属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:-
- FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:10A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:12 毫欧 @ 10A,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:60nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:4481pF @ 10V
- 功率 - 最大:900mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SSOT,SuperSOT-8
- 供应商设备封装:8-SSOT
- 包装:带卷 (TR)
FDR840P 数据手册
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