- 封装:TO-220-3 成形引线
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
- 参考价格:$2.3296-$5.1
更新日期:2024-04-01
产品简介:MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
- 封装:TO-220-3 成形引线
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
- 参考价格:$2.3296-$5.1
FDP036N10A 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
- 地区
- 日期
- 说明
- 询价
-
Onsemi
-
TO-220-3
23+ -
2000
-
上海市
-
-
-
全新原厂原装上海仓现货
-
isc/固电半导体
-
TO-220
2024+ -
15000
-
无锡
-
-
-
国产品牌isc,33年国产工厂
-
ONS
-
原厂原封装
新批号 -
887000
-
上海市
-
-
-
原厂发货进口原装微信同步QQ893727827
-
ONSEMI
-
Trans MOSFET N-CH Si 100V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-2
22+ -
800
-
上海市
-
-
-
原装,假一罚十
-
FSC
-
TO220
22+授权代理 -
15800
-
上海市
-
-
-
旋尔只做进口原装,假一赔十...
-
ORSEMI/安森美
-
TO-220-3
22+ -
668981
-
上海市
-
-
-
原装可开发票
FDP036N10A 中文资料属性参数
- 标准包装:400
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:PowerTrench®
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:120A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.6 毫欧 @ 75A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:116nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:7295pF @ 25V
- 功率 - 最大:227W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 成形引线
- 供应商设备封装:TO-220-3
- 包装:管件
FDP036N10A 相关产品
- 2N7000
- 2N7000BU
- 2N7000G
- 2N7000RLRAG
- 2N7000RLRMG
- 2N7000TA
- 2N7002
- 2N7002,215
- 2N7002-7-F
- 2N7002A-7
- 2N7002BK,215
- 2N7002BKM,315
- 2N7002BKT,115
- 2N7002BKW,115
- 2N7002E
- 2N7002E,215
- 2N7002E-7-F
- 2N7002E-T1-E3
- 2N7002ET1G
- 2N7002E-T1-GE3
- 2N7002F,215
- 2N7002K
- 2N7002K-7
- 2N7002K-T1-E3
- 2N7002KT1G
- 2N7002K-T1-GE3
- 2N7002K-TP
- 2N7002LT1
- 2N7002LT1G
- 2N7002LT3G