您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

FDN338P

Fairchild Semiconductor FET - 单
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.07225-$0.10404

更新日期：2025-01-08

FDN338P

Fairchild Semiconductor FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.07225-$0.10404

FDN338P 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价
更多供应商

FDN338P 中文资料属性参数

  • 产品培训模块：High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：PowerTrench®
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：115 毫欧 @ 1.6A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：6.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：451pF @ 10V
  • 功率 - 最大：460mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：3-SSOT
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：FDN338PTR

FDN338P 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
FDN338P

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

 4 Pages页,86K 查看
FDN338P

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

 4页,1.82M 查看

FDN338P 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9