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FDN335N

Fairchild Semiconductor FET - 单
  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.07749-$0.10395

更新日期：2025-01-08

FDN335N

Fairchild Semiconductor FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 20V 1.7A SSOT3

  • 封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.07749-$0.10395

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FDN335N 中文资料属性参数

  • 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：PowerTrench®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：70 毫欧 @ 1.7A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：310pF @ 10V
  • 功率 - 最大：460mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：3-SSOT
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：FDN335NTR

FDN335N 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
FDN335N

N-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET

 8 Pages页,211K 查看
FDN335N

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

 4页,1.82M 查看

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