- 封装:8-PQFN,Power56
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.888-$0.999
更新日期:2025-02-12
产品简介:MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56
- 封装:8-PQFN,Power56
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.888-$0.999
FDMS86101 供应商
- 公司
- 型号
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- 封装/批号
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- 地区
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- 说明
- 询价
-
FDMS86101
原装现货 -
Onsemi
-
SMD
2308 -
2550
-
北京市
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02-12
-
原厂授权渠道,现货
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FDMS86101
原装现货 -
ON
-
Power 56
21+ -
54000
-
深圳
-
12-10
-
只做原装20年老牌供应商,现货私聊电
-
Onsemi
-
PQFN-8
23+ -
2000
-
上海市
-
-
-
全新原厂原装上海仓现货
-
ON
-
??μ
21 -
106000
-
上海市
-
-
-
????
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-
连可连代销V -
201
-
上海市
-
-
-
1
-
ON
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QFN8
22+ -
6000
-
杭州
-
-
-
原厂原装现货,假一罚十
-
TI
-
QFN
14+ -
50000
-
杭州
-
-
-
原装正品现货
-
FAIRCHILD/仙童
-
QFN
21+ -
10000
-
杭州
-
-
-
只做原装现货,大量现货热卖
-
FAIRCHILD
-
Tape&Reel
22+授权代理 -
15800
-
上海市
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-
旋尔只做进口原装,假一赔十...
-
ORSEMI/安森美
-
PQFN-8
22+ -
668892
-
上海市
-
-
-
原装可开发票
FDMS86101 中文资料属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:PowerTrench®
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:12.4A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:8 毫欧 @ 13A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:55nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:3000pF @ 50V
- 功率 - 最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PQFN,Power56
- 供应商设备封装:Power56
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:FDMS86101TR
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