您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

FDI2532

Fairchild Semiconductor FET - 单
  • 封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件

更新日期：2024-04-01 00:04:00

暂无图片

FDI2532

Fairchild Semiconductor FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB

  • 封装：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件

FDI2532 中文资料属性参数

  • 产品培训模块：High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：PowerTrench®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：79A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：16 毫欧 @ 33A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：107nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：5870pF @ 25V
  • 功率 - 最大：310W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • 供应商设备封装：I2PAK
  • 包装：管件

FDI2532 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
FDI2532

N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 79A, 16mз

 11 Pages页,276K 查看

FDI2532 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9