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FDI045N10A

Fairchild Semiconductor FET - 单
  • 封装：TO-262-3（直引线）
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$3.21853

更新日期：2024-04-01

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FDI045N10A

Fairchild Semiconductor FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

  • 封装：TO-262-3（直引线）
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：管件
  • 参考价格：$3.21853

FDI045N10A 供应商

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FDI045N10A 中文资料属性参数

  • 标准包装：50
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：PowerTrench®
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：120A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.5 毫欧 @ 100A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：74nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：5270pF @ 50V
  • 功率 - 最大：263W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-262-3（直引线）
  • 供应商设备封装：TO-262-3
  • 包装：管件

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