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  • 封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:带卷 (TR)
  • 参考价格:$0.2394-$0.28928

更新日期:2025-03-03

产品简介:MOSFET N-CH 30V 58A DPAK

  • 封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:带卷 (TR)
  • 参考价格:$0.2394-$0.28928

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FDD8880 中文资料属性参数

  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:PowerTrench®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:58A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:9 毫欧 @ 35A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:31nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1260pF @ 15V
  • 功率 - 最大:55W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:TO-252-3
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:FDD8880-NDFDD8880TR

FDD8880 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
FDD8880

N-Channel PowerTrench MOSFET

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