- 封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$1.8-$2.25
更新日期:2024-04-01
产品简介:MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
- 封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$1.8-$2.25
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FDB035N10A 中文资料属性参数
- 标准包装:800
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:PowerTrench®
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):100V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:120A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.5 毫欧 @ 75A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:116nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:7295pF @ 25V
- 功率 - 最大:333W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:TO-263(D2Pak)
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:FDB035N10A-NDFDB035N10ATR
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