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EPC2010
FET - 单- 封装：7-SMD，凸引线
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：Digi-Reel?
- 参考价格：$6.75-$9.94
更新日期：2024-04-01 00:04:00
EPC2010
FET - 单产品简介：TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
- 封装：7-SMD，凸引线
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：Digi-Reel?
- 参考价格：$6.75-$9.94
EPC2010 中文资料属性参数
- 产品培训模块：Paralleling eGaN? FETs
- 标准包装：1
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：eGaN®
- FET 型：GaNFET N 通道，氮化镓
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：200V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：12A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：25 毫欧 @ 6A，5V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 3mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：5nC @ 5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：480pF @ 100V
- 功率 - 最大：-
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：7-SMD，凸引线
- 供应商设备封装：7-LGA（3.6x1.6）
- 包装：Digi-Reel?
- 其它名称：917-1016-6
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