EPC1007

FET - 单

更新日期：2024-04-01 00:04:00

FET - 单

产品简介：TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE

EPC1007 中文资料属性参数

产品培训模块：eGaN™ BasicseGaN™ Power Transistors CharacteristicsDrivng eGaN™ Power TransistorseGaN FETs for DC-DC ConversionHigh Step Down Ratio Buck Converters OvervieweGaN FET Reliability
标准包装：1
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：eGaN®
FET 型：GaNFET N 通道，氮化镓
FET 特点：逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：30 毫欧 @ 6A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 1.2mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：2.7nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds：200pF @ 50V
功率 - 最大：-
安装类型：表面贴装
封装/外壳：5-LGA
供应商设备封装：5-LGA（1.7x1.1）
包装：Digi-Reel?
其它名称：917-1002-6

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