DMN2400UFB-7
FET - 单- 封装:3-XFDFN
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.04063-$0.065
更新日期:2024-04-01 00:04:00
DMN2400UFB-7
FET - 单产品简介:MOSF N CH 20V 750MA X1-DFN1006-3
- 封装:3-XFDFN
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:带卷 (TR)
- 参考价格:$0.04063-$0.065
DMN2400UFB-7 中文资料属性参数
- 标准包装:3,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:-
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):20V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:750mA
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:550 毫欧 @ 600mA,4.5V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):900mV @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:0.5nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:36pF @ 16V
- 功率 - 最大:470µW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:3-XFDFN
- 供应商设备封装:3-X1DFN1006
- 包装:带卷 (TR)
- 其它名称:DMN2400UFB-7DITR
DMN2400UFB-7 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
DMN2400UFB-7
|
MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN |
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