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CSD25211W1015

Texas Instruments FET - 单
  • 封装：6-UFBGA，DSBGA
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.35

更新日期：2024-04-01 00:04:00

CSD25211W1015

Texas Instruments FET - 单

产品简介：采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、-20V、P 沟道 NexFET? 功率 MOSFET

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  • 封装：6-UFBGA，DSBGA
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.35

CSD25211W1015 供应商

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CSD25211W1015 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：NexFET™
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.2A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：33 毫欧 @ 1.5A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：4.1nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：570pF @ 10V
  • 功率 - 最大：1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-UFBGA，DSBGA
  • 供应商设备封装：6-DSBGA（1x1.5）
  • 包装：带卷 (TR)

产品特性

  • 超低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 1.0mm × 1.5mm 小尺寸封装
  • 超薄型，高 0.62mm
  • 无铅
  • 栅源电压钳位
  • 栅极 ESD 保护 - 3kV
  • 符合 RoHS
  • 无卤素

产品概述

此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。
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