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CSD25201W15

Texas Instruments FET - 单
  • 封装：9-UFBGA，DSBGA
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$0.42935-$1

更新日期：2024-04-01

CSD25201W15

Texas Instruments FET - 单

产品简介：MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA

  • 封装：9-UFBGA，DSBGA
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$0.42935-$1

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CSD25201W15 中文资料属性参数

  • 产品培训模块：NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件：NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：NexFET™
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：40 毫欧 @ 2A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：5.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：510pF @ 10V
  • 功率 - 最大：1.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：9-UFBGA，DSBGA
  • 供应商设备封装：9-DSBGA（1.8x1.8）
  • 包装：?
  • 其它名称：296-27609-6

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