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CSD17551Q5A

Texas Instruments FET - 单
  • 封装：8-PowerTDFN
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$0.403-$0.94

更新日期：2024-04-01 00:04:00

CSD17551Q5A

Texas Instruments FET - 单

产品简介：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET

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  • 封装：8-PowerTDFN
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$0.403-$0.94

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CSD17551Q5A 中文资料属性参数

  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：NexFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：13.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8.8 毫欧 @ 11A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：7.2nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1272pF @ 15V
  • 功率 - 最大：3W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装：8-SON（5x6）
  • 包装：?
  • 其它名称：296-30612-6

产品特性

  • 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)
  • 低热阻
  • 额定雪崩能量
  • 无铅端子封装
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸 (SON) 5mm × 6mm 塑料封装

产品概述

NexFET™ 功率 MOSFET 被设计用于大大减少功率转换应用中的功率损失。
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CSD17551Q5A 电路图

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