- 封装:8-PowerTDFN
- RoHS:无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
- 包装方式:Digi-Reel?
- 参考价格:$0.465-$1.08
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET
查看详情- 封装:8-PowerTDFN
- RoHS:无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
- 包装方式:Digi-Reel?
- 参考价格:$0.465-$1.08
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CSD17527Q5A 中文资料属性参数
- 产品培训模块:NexFET MOSFET Technology
- 视频文件:PowerStack? Packaging Technology Overview
- 标准包装:1
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:FET - 单
- 系列:NexFET™
- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 特点:标准型
- 漏极至源极电压(Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:65A
- 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:10.8 毫欧 @ 11A,10V
- Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs:3.4nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds:506pF @ 15V
- 功率 - 最大:3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-PowerTDFN
- 供应商设备封装:8-SON(5x6)
- 包装:?
- 其它名称:296-29021-6
产品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定
- 无铅终端镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- SON 5 毫米 × 6 毫米塑料封装
产品概述
此 NexFET 功率 MOSFET 专为最大限度地减少功率转换应用中的损耗而设计。
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