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CSD17522Q5A

Texas Instruments FET - 单
  • 封装：8-PowerTDFN
  • RoHS：无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$0.496-$1.16

更新日期：2024-04-01 00:04:00

CSD17522Q5A

Texas Instruments FET - 单

产品简介：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET

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  • 封装：8-PowerTDFN
  • RoHS：无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$0.496-$1.16

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CSD17522Q5A 中文资料属性参数

  • 产品培训模块：NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件：PowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：NexFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：87A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8.1 毫欧 @ 14A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：4.3nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：695pF @ 15V
  • 功率 - 最大：3W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装：8-SON（5x6）
  • 包装：?
  • 其它名称：296-29020-6

产品特性

  • 针对 5V 栅极驱动而优化
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩额定
  • 无铅终端镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • SON 5 毫米 × 6 毫米塑料封装

产品概述

此 NexFET 功率 MOSFET 专为最大限度地减少功率转换应用中的损耗而设计，并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。
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CSD17522Q5A 电路图

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