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CSD17309Q3

Texas Instruments FET - 单
  • 封装：8-TDFN 裸露焊盘
  • RoHS：含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$0.6014-$1.4

更新日期：2024-04-01

CSD17309Q3

Texas Instruments FET - 单

产品简介：采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET

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  • 封装：8-TDFN 裸露焊盘
  • RoHS：含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$0.6014-$1.4

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CSD17309Q3 中文资料属性参数

  • 产品培训模块：NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件：NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：NexFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：60A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5.4 毫欧 @ 18A，8V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.7V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：10nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1440pF @ 15V
  • 功率 - 最大：2.8W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装：8-SON
  • 包装：?
  • 其它名称：296-27250-6

产品特性

  • Optimized for 5 V Gate Drive
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package
  • APPLICATIONS Notebook Point of Load Point of Load Synchronous Buck in Networking, Telecom, and Computing Systems
  • Notebook Point of Load
  • Point of Load Synchronous Buck in Networking, Telecom, and Computing Systems

产品概述

This 30 V, 4.2 mΩ NexFET™ power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5 V gate drive applications.
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CSD17309Q3 电路图

CSD17309Q3 电路图

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