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CSD17308Q3

Texas Instruments FET - 单
  • 封装：8-TDFN 裸露焊盘
  • RoHS：无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$0.4619-$1.08

更新日期：2024-04-01 00:04:00

CSD17308Q3

Texas Instruments FET - 单

产品简介：采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、11.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET

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  • 封装：8-TDFN 裸露焊盘
  • RoHS：无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$0.4619-$1.08

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CSD17308Q3 中文资料属性参数

  • 产品培训模块：NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件：NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：NexFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：47A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：10.3 毫欧 @ 10A，8V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.8V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：5.1nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：700pF @ 15V
  • 功率 - 最大：2.7W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装：8-SON
  • 包装：?
  • 其它名称：296-27210-6

产品特性

  • 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅端子镀层
  • 符合 RoHS
  • 无卤素
  • VSON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

产品概述

此 30V、8.2mΩ、3.3mm × 3.3mm VSON NexFET™功率 MOSFET 旨在用于最大程度降低功率转换 应用 中的损耗并针对 5V 栅极驱动器 应用进行了优化。
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CSD17308Q3 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
CSD17308Q3T

MOSFET N-CH 30V 50A

 13页,407K 查看

CSD17308Q3 电路图

CSD17308Q3 电路图

CSD17308Q3 电路图

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