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CSD16415Q5

Texas Instruments FET - 单
  • 封装：8-TDFN 裸露焊盘
  • RoHS：无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$1.512-$3.02

更新日期：2024-04-01

CSD16415Q5

Texas Instruments FET - 单

产品简介：采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET

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  • 封装：8-TDFN 裸露焊盘
  • RoHS：无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$1.512-$3.02

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CSD16415Q5 中文资料属性参数

  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：NexFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：100A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：1.15 毫欧 @ 40A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.9V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：29nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：4100pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大：3.2W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装：8-SON-EP（5x6）
  • 包装：?
  • 其它名称：296-30139-6

产品特性

  • 超低栅极电荷(Qg)和栅漏电荷(Qgd)
  • 极低接通电阻
  • 低热阻性
  • 额定雪崩能量
  • 无铅端子电镀
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素

产品概述

此 NexFET 功率MOSFET已被设计成在功率转换应用中大大降低功率损失。
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CSD16415Q5 电路图

CSD16415Q5 电路图

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