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CSD16408Q5

Texas Instruments FET - 单
  • 封装：8-TDFN 裸露焊盘
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$0.68975-$1.61

更新日期：2024-04-01

CSD16408Q5

Texas Instruments FET - 单

产品简介：采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET

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  • 封装：8-TDFN 裸露焊盘
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$0.68975-$1.61

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CSD16408Q5 中文资料属性参数

  • 产品培训模块：NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件：NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：NexFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：113A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.5 毫欧 @ 25A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：8.9nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1300pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大：3.1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装：8-SON
  • 包装：?
  • 其它名称：296-25321-6

产品特性

  • 超低 Q g和 Q gd
  • 低热阻
  • 具有雪崩能力
  • SON 5mm × 6mm 塑料封装

产品概述

NexFET™ 功率 MOSFET 旨在更大限度地降低功率转换应用中的损耗。
查看全部

CSD16408Q5 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
CSD16408Q5

MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON

 11页,168K 查看
CSD16408Q5C

MOSFET N-CH 25V 113A 8SON

 11页,176K 查看

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