您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

CSD16327Q3

Texas Instruments FET - 单
  • 封装：8-TDFN 裸露焊盘
  • RoHS：无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$0.6045-$1.41

更新日期：2024-04-01 00:04:00

CSD16327Q3

Texas Instruments FET - 单

产品简介：采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET

查看详情
  • 封装：8-TDFN 裸露焊盘
  • RoHS：无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$0.6045-$1.41

CSD16327Q3 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

CSD16327Q3 中文资料属性参数

  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：NexFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：60A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4 毫欧 @ 24A，8V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：8.4nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1300pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大：3W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装：8-SON-EP（3.3x3.3）
  • 包装：?
  • 其它名称：296-30138-6

产品特性

  • 针对 5V 栅极驱动器进行优化
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 无卤素
  • 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装

产品概述

这款 25V、3.4mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度降低功率转换应用中的功率损耗并经优化以适用于 5V 栅极驱动器 应用。
查看全部

CSD16327Q3 电路图

CSD16327Q3 电路图

CSD16327Q3 电路图

CSD16327Q3 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9