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CSD16322Q5C

Texas Instruments FET - 单
  • 封装：8-TDFN 裸露焊盘
  • RoHS：无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$0.6944-$1.62

更新日期：2024-04-01

CSD16322Q5C

Texas Instruments FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 25V 97A 8SON

  • 封装：8-TDFN 裸露焊盘
  • RoHS：无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$0.6944-$1.62

CSD16322Q5C 供应商

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CSD16322Q5C 中文资料属性参数

  • 产品培训模块：NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件：NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • 特色产品：DualCool? NexFET? CSD16 Q5C MOSFETs
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：NexFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：97A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：5 毫欧 @ 20A，8V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：9.7nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1365pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大：3.1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装：8-SON
  • 包装：Digi-Reel?
  • 其它名称：296-25644-6

CSD16322Q5C 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
CSD16322Q5C

MOSFET, N CH, 25V, 21A, 8SON; Transistor Polarity:N Channel; Current Id Max:97A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):3.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:8V; Voltage Vgs Max:10V; Power Dissipation:3.1W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010)

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