您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

CSD16321Q5

Texas Instruments FET - 单
  • 封装：8-TDFN 裸露焊盘
  • RoHS：无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$0.9685-$2.07

更新日期：2024-04-01 00:04:00

CSD16321Q5

Texas Instruments FET - 单

产品简介：采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET? 功率 MOSFET

查看详情
  • 封装：8-TDFN 裸露焊盘
  • RoHS：无铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$0.9685-$2.07

CSD16321Q5 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

CSD16321Q5 中文资料属性参数

  • 产品培训模块：NexFET MOSFET Technology
  • 视频文件：NexFET Power BlockPowerStack? Packaging Technology Overview
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：NexFET™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：100A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：2.4 毫欧 @ 25A，8V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：19nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：3100pF @ 12.5V
  • 功率 - 最大：3.1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装：8-SON
  • 包装：?
  • 其它名称：296-24517-6

产品特性

  • 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
  • 超低 Q g 和 Q gd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 标准
  • 5mm × 6mm SON 塑料封装

产品概述

这款 25V、1.9mΩ、5mm × 6mm SON NexFET™ 功率 MOSFET 旨在更大限度减小功率转换应用中的损耗，并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。
查看全部

CSD16321Q5 电路图

CSD16321Q5 电路图

CSD16321Q5 电路图

CSD16321Q5 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9