搜索
发布采购
BUZ32 H
FET - 单- 封装：TO-220-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$0.67769-$1.62
更新日期：2024-04-01 00:04:00
BUZ32 H
FET - 单产品简介：MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
- 封装：TO-220-3
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
- 参考价格：$0.67769-$1.62
BUZ32 H 中文资料属性参数
- 数据列表：BUZ 32 H
- 标准包装：500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：SIPMOS®
- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 特点：标准型
- 漏极至源极电压(Vdss)：200V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：9.5A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：400 毫欧 @ 6A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 1mA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：530pF @ 25V
- 功率 - 最大：75W
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：PG-TO220-3
- 包装：管件
- 其它名称：BUZ32HXKSA1SP000682998
BUZ32 H
BUZ32 H 相关产品
- 2N7000
- 2N7000BU
- 2N7000G
- 2N7000RLRAG
- 2N7000RLRMG
- 2N7000TA
- 2N7002
- 2N7002,215
- 2N7002-7-F
- 2N7002A-7
- 2N7002BK,215
- 2N7002BKM,315
- 2N7002BKT,115
- 2N7002BKW,115
- 2N7002E
- 2N7002E,215
- 2N7002E-7-F
- 2N7002E-T1-E3
- 2N7002ET1G
- 2N7002E-T1-GE3
- 2N7002F,215
- 2N7002K
- 2N7002K-7
- 2N7002K-T1-E3
- 2N7002KT1G
- 2N7002K-T1-GE3
- 2N7002K-TP
- 2N7002LT1
- 2N7002LT1G
- 2N7002LT3G