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BSS87,115

NXP Semiconductors FET - 单
  • 封装：TO-243AA
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$0.23154-$0.5

更新日期：2024-04-01

BSS87,115

NXP Semiconductors FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 200V 400MA SOT-89

  • 封装：TO-243AA
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：Digi-Reel?
  • 参考价格：$0.23154-$0.5

BSS87,115 供应商

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BSS87,115 中文资料属性参数

  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)：200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：400mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3 欧姆 @ 400mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.8V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：120pF @ 25V
  • 功率 - 最大：1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-243AA
  • 供应商设备封装：SOT-89-3
  • 包装：?
  • 其它名称：568-6228-6

BSS87,115 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
BSS87,115

MOSFET N-CH 200V 400MA SOT-89; Transistor Polarity:N Channel; On State Resistance:3ohm; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; Case Style:SOT-89; Cont Current Id:400mA; Termination Type:SMD; Transistor Type:Enhancement; Typ Voltage Vds:200V; Typ Voltage Vgs th:2.8V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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