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BSO130P03S H
FET - 单- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.42528-$0.49616
更新日期：2024-04-01
BSO130P03S H
FET - 单产品简介：MOSFET P-CH 30V 9.2A DSO-8
- 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：带卷 (TR)
- 参考价格：$0.42528-$0.49616
BSO130P03S H 供应商
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BSO130P03S H 中文资料属性参数
- 标准包装：2,500
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：FET - 单
- 系列：OptiMOS™
- FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：9.2A
- 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：13 毫欧 @ 11.7A，10V
- Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.2V @ 140µA
- 闸电荷(Qg) @ Vgs：81nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss) @ Vds：3520pF @ 25V
- 功率 - 最大：1.56W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商设备封装：P-DSO-8
- 包装：带卷 (TR)
- 其它名称：BSO130P03S H-NDBSO130P03SHXUMA1SP000613860
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