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BSC0906NS

FET - 单
  • 封装：8-PowerTDFN
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.41124-$0.45579

更新日期：2024-04-01

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BSC0906NS

FET - 单

产品简介：MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON

  • 封装：8-PowerTDFN
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.41124-$0.45579

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BSC0906NS 中文资料属性参数

  • 数据列表：BSC0906NS
  • 标准包装：5,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：OptiMOS™
  • FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：63A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：4.5 毫欧 @ 30A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：13nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：870pF @ 15V
  • 功率 - 最大：30W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装：PG-TDSON-8
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：BSC0906NS-NDBSC0906NSATMA1SP000893360

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